[HF20262300] 光计算芯片后道工艺加工 成交公告
2026-08-21
湖北-武汉-
| 所在地区: | 湖北-武汉- | 发布日期: | 2026年8月21日 |
中标公示正文
[HF(略)] 光计算芯片后道工艺加工 成交公告
[HF(略)] 光计算芯片后道工艺加工 成交公告
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1.项目名称:(略)
2.成交供应商名称:(略)
3.成交供应商地址:(略)
4.成交金额(折合人民币):(略)
5.付款方式:(略)
6.主要成交标的:
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序号 |
服务名称 |
服务内容 |
服务期限 |
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1 |
光计算芯片后道工艺加工 |
1、 电子束光刻,剥离(略)nmCr/(略)nmAu,制作套刻mark; 2、 电子束套刻1/0层,刻蚀(略)nmSi,小线宽小间距均为(略)nm; 3、 电子束套刻2/0层,刻蚀(略)nmSi,小线宽(略)nm,小间距(略)nm; 4、 沉积2umSiO2,紫外套刻3/0层,剥离(略)nmTiN,小线宽4um; 5、 紫外套刻4/0层,剥离(略)nmCr/(略)Au,小线宽(略)um; 6、 沉积(略)nmSiO2,紫外套刻5/0层,刻蚀(略)nmSiO2开窗; 7、 紫外套刻6/0层,刻蚀2.5umSiO2+(略)nmSi+2umSiO2+1umSi,小线宽(略)um |
合同签订后(略)个工作日内 |
华中科技大学武汉光电国家研究中心
(略)年(略)月(略)日
按照客观、公正、公开的原则,本条信息受业主方委托独家指定在中国建设招标网 www.jszhaobiao.com 发布
